Перекрытия ригель: Железобетонные Ригели перекрытия купить по цене производителя

железобетонный ригель перекрытия является одним из основных несущих элементов сборного каркаса промышленного или гражданского здания

ГлавнаяСтатьи о ЖБИ Ригель перекрытия – один из основных элементов железобетонного каркаса здания

При возведении многоэтажных каркасных зданий из железобетонных конструкций, при устройстве отдельных помещений в производственных цехах ригель перекрытия играет важную роль – он воспринимает нагрузку от плиты перекрытия и передает ее на колонны каркаса.

Из чего состоит каркас здания

Основными деталями каркаса многоэтажных железобетонных производственных и гражданских зданий являются:

• колонны;
• ригели;
• плиты перекрытия и покрытия;
• диафрагмы жесткости, обеспечивающие устойчивость и геометрическую неизменяемость здания.

В этом комплекте, ригель перекрытия является элементом, воспринимающим полезную нагрузку от плит перекрытия, на которых установлено технологическое оборудование и по которым ходят люди. Ригели передают эту нагрузку на колонны, которые в свою очередь передают ее на фундаменты здания.

Поэтому ригели имеют высокую несущую способность, обеспечиваемую ненапрягаемой или предварительно напряженной арматурой и бетоном, прочность которого соответствует возникающим в конструкции усилиям.

Какими бывают ригели перекрытия и как они крепятся

Разнообразная сетка колонн, схема опирания плит перекрытия, конструктивные решения узлов каркаса, обеспечивающих его жесткость, приводят к тому, что заводы железобетонных изделий выпускают достаточно широкий ассортимент ригелей различного сечения, пролета и несущей способности.

Чаще всего в строительстве встречаются ригеля, имеющие сечение:

• тавровое, с нижним расположением полки, при котором плиты перекрытия опираются на полку ригели;
• прямоугольное, когда политы перекрытия располагаются на верхней грани ригеля.

В зависимости от конструктивного решения поэтажного стыка колонн и опирания ЖБ ригеля на колонну определяется его длина:

• при опирании колонны на колонну, ригель крепится к консоли, выступающей из тела колонны;
• при опирании ригеля на верхнюю плоскость колонны, колонна вышерасположенного этажа опирается на ригель.

Устройство узла стыка колонны и ригеля, как правило, достаточно сложная и ответственная работа, требующая соединения закладных деталей при помощи ручной электродуговой сварки, а при устройстве жесткого узла и необходимости равнопрочного стыка арматурных выпусков ригеля и колонны – выполнения ванной сварки.

Конкретный вид узла соединения ригеля перекрытия с колонной определяется проектной организацией в зависимости от расчетной схемы каркаса и нагрузок, приходящихся на него от снега, технологического оборудования, людей и собственного веса конструкций.

Перед монтажом ЖБ ригелей производится выверка правильности установки колонн, поскольку даже небольшое отклонение от вертикали не позволит установить балки в проектное положение. Для этого, по результатам геодезической съемки, составляется исполнительная схема монтажа колонн, на которой указываются фактические отклонения конструкций от вертикали в обеих плоскостях и по высоте.

Полученные данные сопоставляются с величинами допустимых отклонений, после чего принимается решение о возможности монтажа ригелей или о необходимости исправления положения колонн.

Где купить ригель прямоугольного сечения

Строители Москвы и Московской области, при монтаже зданий с железобетонным каркасом, в случае, если использование таких конструкций предусмотрено проектными решениями, охотно приобретают прямоугольные ригели, которые изготавливает столичный завод железобетонных изделий ЖБИ-4. Наше предприятие выпускает высококачественную продукцию, в частности ригели марки РВ:

• длиной от 3,20 до 6,40 м;
• шириной 16 и 38 см;
• высотой 30, 40 и 60 см.

Эти конструкции рассчитаны на восприятие нагрузки от 2,5 до 4,5 кН/м, что достаточно для большинства зданий административно-бытового назначения и определенной категории общественных зданий.

Встроенные ригели — почти обязательный элемент перекрытий МАРКО – Официальный сайт перекрытий МАРКО

Первое упоминание о встроенных ригелях в конструкции сборно-монолитных перекрытий я встретил в инструкции по проектированию польских перекрытий ТЕРИВА. Поляки назвали этот элемент «распределительное ребро». На картинках справа вы видите страницы польской инструкции, на которых представлены распределительные ребра. Согласно требованиям инструкции ширина ребра 70-100 мм, а высота равна толщине перекрытия.  Обратите внимание — польские конструкторы настоятельно рекомендуют применять распределительные ребра: одно для пролетов меньше 6 м и два при больших пролетах. 

Армирование польского ребра производится двумя арматурами диаметром не меньше 12 мм. Обращает на себя внимание использование слова «распределительное» в названии элемента. По соображениям польских конструкторов ребро располагалось перпендикулярно балкам и предназначалось для распределения (перераспределения) действующих нагрузок внутри перекрытия. Арматура ребра в обязательном порядке  заводится на стены параллельные балкам. 

При разработке технологии перекрытий МАРКО с профильными тонкостенными балками АТЛАНТ я посчитал необходимым заменить польский термин распределительное ребро на более понятный российским строителям термин — встроенный ригель.  Конструктивная схема встроенного ригеля приведена на картинке слева.

Для устройства встроенного ригеля  блоки по линии его размещения «раздвигаются»,  под образовавшимся проемом снизу монтируется опалубка из фанеры, досок и пр. (картинки справа). Поперек балок в проем монтируется рабочая арматура необходимого диаметра. Как правило, нижняя арматура укладывается на вертикальные стенки тонкостенного профиля,а верхняя подвязывается к верхней арматуре балок. Диаметр арматуры и число прутков определяется специалистами центра сопровождения проектов при разработке монтажной схемы перекрытия.  

Чаще всего встроенные ригели используются для повышения несущей способности перекрытия. В некоторых случаях только их применение позволило решить поставленные заказчиком задачи. Именно так произошло на строительстве торгового центра в Лыткарино. Здесь встроенные ригели позволили организовать по периметру здания консоль и разместить на этой консоли стены второго этажа здания.  

В некоторых конструкциях перекрытий встроенные ригели используются для усиления узлов стыковки балок. На картинках справа монтажная схема перекрытия АТЛАНТ и результат ее реализации в перекрытии. 

Толщина перекрытия во многом определяется размерами перекрываемых пролетов — больше  пролеты — толще перекрытие. Иногда встречаются проекты, в которых длинными являются всего несколько балок, но именно эти балки (слабое звено) определяют толщину перекрытия. Если место расположения «слабых» балок усилить встроенным ригелем, толщину перекрытия можно уменьшить. На картинке слева пример подобного усиления.

Для заполнения межбалочного пространства в перекрытиях МАРКО чаще всего используются блоки из газобетона. Такие блоки легко пилятся, строгаются, сверлятся. Это позволяет при необходимости расположить встроенный ригель под углом к оси балок перекрытия. Пример такого конструктивного решения на картинке справа. 

Применение встроенных ригелей позволяет усилить конструкцию перекрытия в месте расположения лестничного проема. Особенно часто такая необходимость возникает при устройстве так называемых Г-образных лестничных проемов. На картинках слева два примера такого усиления. 

Использование встроенных ригелей в конструкции перекрытий АТЛАНТ расширяется. По мере накопления опыта мы будем вносить в статью дополнительные материалы. 

Валерий Мартынюк, автор технологии МАРКО, директор по развитию компании МАРКО. 

Перекладина на квантовых точках с сублинейным масштабированием межсоединений при криогенной температуре

Мультиплексирование с перемычкой и крио-КМОП

Наша экспериментальная установка (рис. 1а, схема) состоит из перемычки многозатворных полевых транзисторов и крио- Схема мультиплексирования CMOS. В основе перекладины находится элементарная ячейка, содержащая один полевой транзистор (обозначен черной рамкой). Полевой транзистор состоит из накопительного затвора (AG, синий), двух барьерных затворов (BG, зеленый), перпендикулярных AG, и омических контактов (красный) по обе стороны от AG. Электрический транспорт через полевой транзистор достигается за счет накопления канала двумерного электронного газа (2DEG), определенного в AG, и между омическими элементами истока и стока с использованием напряжений, подаваемых на AG. С помощью БГ мы формируем туннельные барьеры, способные настраивать транспорт в одноэлектронный режим.

a Схематическое изображение перемычки с квантовыми точками, подключенной к схеме управления крио-CMOS-мультиплексированием. Показана подгруппа из 3   × 3 элементарных ячеек, в которых размещены полевые транзисторы с несколькими затворами (FET) (верхняя панель), с чередующимися областями имплантатов для омических контактов исток / сток ( n ⁺⁺ , красный цвет), ряды накопительных ворот (AG, синий) для определения проводящего канала и столбцов барьерных ворот (BG, зеленый) для настройки транспорта в одноэлектронный режим. Индексы i и j соответствуют строкам AG и парным столбцам BG в массиве перекладин. Мультиплексоры Cryo-CMOS на печатной плате (нижняя панель) используются для маршрутизации смещения напряжения и выбора нужной строки AG и столбца BG, тем самым создавая уникальный путь тока (желтая стрелка) через одну элементарную ячейку (обозначенную черной рамкой). ), состоящий из одного AG и двух BG и идентифицируемый парой индексов ( i ,  j ). При линейном увеличении количества проводов и переключателей количество измеряемых полевых транзисторов увеличивается квадратично. b Микрофотографии сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) в искусственных цветах четырех полевых транзисторов с максимальными изменениями ширины AG W и расстояния между BG L . Эти полевые транзисторы расположены в четырех углах поперечной пластины 36 × 36 электродов, изготовленной на пакете ²⁸ Si/SiO ₂ . AG и BG представлены синим и зеленым цветом соответственно. c Два полевых транзистора с общими барьерными затворами с расширением затвора для облегчения отрыва. d СЭМ с уменьшенным масштабом нескольких элементарных ячеек, включая имплантированные омики, показанные красным. e Оптическое микроскопическое изображение перекладины с 648 многозатворными полевыми транзисторами и 1296 пересечениями между AG и BG с контактными разветвленными линиями.

Полноразмерное изображение

Полевые транзисторы, обсуждаемые в этой работе, изготовлены на изотопно-обогащенном пакете ²⁸ Si/SiO ₂ , нанесенном на 300-миллиметровые кремниевые пластины в промышленной КМОП-фабрике ²² с тепловым покрытием толщиной 10 нм. SiO ₂ оксид. Устройство изготовлено в академической чистой комнате с помощью электронно-лучевой литографии и электронно-лучевого испарения. Первый р ⁺ имплантирован для создания омиков. Затем изготавливаются ЗЗ Ti/Pd толщиной 20 нм. Затем слой Al ₂ O ₃ толщиной 14 нм осаждается методом атомно-слоевого осаждения, который изолирует барьерные затворы от Ti/Pd AG толщиной 40 нм. Один и тот же набор материалов использовался для изготовления отдельных устройств с квантовыми точками ²³ и кубитов ⁹ , и понимание единообразия является ключом к масштабированию за пределами этих устройств. Хотя в нашей демонстрации используется Si-MOS, конструкция поперечины может быть адаптирована к другим наборам материалов в режиме накопления и, таким образом, совместима с ведущими платформами для полупроводниковых квантовых технологий. Схемы затворов четырех полевых транзисторов с разной шириной АГ W и расстояние между BG L изображены на микрофотографиях первого сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) на рис. 1b.

Элементарные ячейки в поперечине, идентифицируемые парами индексов ( i ,  j ), имеют общие затворы и омические контакты с соседними элементарными ячейками. На рис. 1c-e показаны увеличенные микрофотографии поперечины с ложной окраской, которые выделяют общие затворы и омики. Каждая строка элементарных ячеек ( i , *) имеет один и тот же AG, а каждый столбец (*,  j ) делит свои две BG. Вместо этого два омических контакта являются общими для всех элементарных ячеек и расположены вверху и внизу перекладины. Чтобы обеспечить независимую работу каждой элементарной ячейки, омические контакты протянуты между каждым вертикальным столбцом элементарных ячеек, чередуя верхние и нижние омические контакты. На рис. 1e показано оптическое микроскопическое изображение всей изготовленной сетки, которая имеет в общей сложности 36 AG и 36 BG, таким образом, имея 1296 пересечений затвора и 648 элементарных ячеек FET. Предполагаемый ток через общие омики и одиночную элементарную ячейку показан желтой стрелкой на рис. 1а. Перекладина редкая, чтобы предотвратить электрические короткие замыкания между соседними удлинителями имплантата истока и стока из-за боковой диффузии имплантата, с минимальным расстоянием между имплантированными областями 7,5 мкм.

Благодаря этому подходу с поперечными стержнями можно исследовать и оценивать различные конструкции элементарных ячеек, вводя дополнительные различия в конструкции по всей сетке. Здесь мы разработали каждую элементарную ячейку с уникальной комбинацией ширины Ag W = 30+3 ⋅ I нм и расстоянием между BGS L = 30+6 ⋅ J нм, с I = 0, 0, …, 35 и j  = 0, …, 17. В результате и W , и L находятся в диапазоне от 30 до 130 нм, что является типичным размером для квантовых точек и одноэлектронных транзисторов (ОЭТ) в Si- МОП, Si/SiGe и Ge/SiGe ^9,24 . На рис. 1b показаны полевые транзисторы в четырех углах сетки с крайними вариациями Вт и L .

Схема управления, схематически показанная на рис. 1а, необходима для выбора тестируемой элементарной ячейки и увеличения количества линий, доступных при криогенных температурах. Перекладина и схема управления крио-CMOS размещены на отдельных печатных платах, соединенных гибким кабелем для обеспечения модульности и быстрого обмена образцами. Обе печатные платы охлаждаются до базовой температуры 1,7 К во встроенном криостате с регулируемой температурой. Схема содержит классические КМОП однополюсные двухпозиционные переключатели, и ее конструкция основана на предыдущей работе ²¹ , где каждая входная клемма подключена к образцу, а выходные клеммы используются для подачи или измерения напряжения с помощью оборудования, работающего при комнатной температуре.

Ключевым отличием от предыдущей работы ²¹ является добавление независимых групп переключателей. Выходы сдвигового регистра разделены на две отдельные группы, предназначенные для независимого управления двумя категориями вентилей. В нашем случае мы разделяем горизонтальный AG и вертикальный BG. Поскольку каждая элементарная ячейка содержит один AG и два BG, каждый выходной бит по горизонтали и вертикали должен управлять как минимум 1 и 2 переключателями соответственно. Количество элементарных ячеек в ригеле с N переключателей максимизируется, когда соотношение переключателей для накопительных ворот к барьерным составляет 1:1, что дает N ² /8 элементарных ячеек. Наша реализация платы мультиплексора использует 72 переключателя для адресации 36 групп доступности и 18 пар групп блокировки, что дает 648 элементарных ячеек. Чтобы в будущем можно было использовать более совершенные элементарные ячейки, каждый выходной бит по горизонтали и вертикали управляет более чем 1 и 2 переключателями соответственно за счет постоянного количества дополнительных линий при комнатной температуре. Заземляя дополнительные элементы, выбранные теми же битами, которые не вносят вклад в тестируемую элементарную ячейку, можно избежать нежелательных путей тока через другие элементарные ячейки, и установка может работать, как показано на рис. 1а. Благодаря предложенной конструкции с общими затворами и омическими сопротивлениями все выбранные полевые транзисторы в каждой строке (столбце) имеют одинаковые накопительные (барьерные) напряжения затвора и могут быть измерены как параллельная цепь. Однако для целей сравнения полевых транзисторов и сбора статистики отдельные полевые транзисторы выбираются и измеряются индивидуально в следующем анализе. Поскольку переключение выполняется исключительно между измерениями, потребляемая мощность мультиплексора 9 зависит от частоты переключения.0013 21 никогда не беспокоит.

Для выбора элементарной ячейки и обеспечения протекания тока от омических элементов стока к истоку через 2DEG на один AG и на одну пару BG подается положительное напряжение, так как изготовленная поперечина предназначена для работы в режиме накопления. Ток может протекать только через элементарную ячейку на пересечении этих вентилей, поскольку все остальные невыбранные вентили, связанные с другими ячейками, заземлены. Заземленные ЗГ прерывают 2DEG благодаря экранированию электрического поля, т.к. эти вентили расположены под АГ. Таким образом, элементарная ячейка может быть включена и отключена с помощью AG и BG соответственно без помех от тока, протекающего через 2DEG в любой другой элементарной ячейке.

Работа полевого транзистора и его характеристика

На рис. 2а показан пример таких измерений отдельного полевого транзистора в поперечине и то, как извлекаются связанные ключевые показатели при Тл  = 1,7 К. Сначала мы определяем пороговое напряжение включения В _— путем измерения тока через полевой транзистор I _SD в зависимости от напряжения АГ В _a , в то время как оба BG поддерживаются постоянными. напряжение В _b  = 2,7 В. Это значение В _b установлено выше максимального ожидаемого напряжения отсечки В _по сети, чтобы избежать сужения канала, но достаточно низкое, чтобы свести к минимуму накопление под BG. Затем В _по автоматически извлекается путем нахождения напряжения, при котором кривая преодолевает текущий шумовой порог 100 пА. Аналогично определяем напряжения отсечки В _по путем измерения I _SD в зависимости от В _{b, левый} и В _{b, правый} независимо, в то время как другой BG поддерживается на уровне 2,7 В. AG поддерживается на 1 В выше ранее определенного В от _до для обеспечения полностью сформированного канала, что позволяет сравнивать полевые транзисторы V _po с разными V _до . Значения для В _po снова могут быть оценены автоматически через пороги тока, которые установлены на уровне 20% от максимального тока для учета полевых транзисторов, в которых ток не достигает 0 сразу после отсечки. Этот эффект вызван нежелательным протеканием тока под другим барьером, происходящим из-за перекрытия с омическим сопротивлением на одной стороне перекладины. Кроме того, полевые транзисторы с нечеткими кривыми отсечки не учитываются в дальнейшем анализе. Как и ожидалось, исходя из конструкции полевого транзистора, V _po  <  V _до и кривые отсечки более резкие, чем кривые включения из-за меньшего расстояния от ЗЗ до 2DEG и меньшей площади 2DEG под ЗЗ.

a Ток исток-сток I _SD через выбранный полевой транзистор, измеренный при Тл  = 1,7 К в зависимости от напряжения на затворе накопления В _a с фиксированными барьерными напряжениями В _b  = 2,7 В (синяя линия). Пороговое напряжение включения В _до обозначено черным крестом. Этот же транзистор измеряется как функция В _{b, слева} и В _{b, справа} при 1 В выше В _до (красные и зеленые линии), с черными крестами, обозначающими отсечку напряжения В _по . б I _SD в зависимости от смещения исток-сток В _SD и В _a с фиксированным (штриховые белые линии), из которых можно извлечь зарядную энергию E _C  = 8 мэВ и плечо рычага α  = 0,2 эВ/В. Цветные карты всех измеренных V _по ( c ) и V _po ( d ) в сетке квантовых точек различной ширины W и длины L в зависимости от местоположения в сетке, где каждый прямоугольник представляет элементарную ячейку FET в массиве. Каждая ячейка в d разделена на две части для обозначения значений V _po,left и V _po,right .

Изображение полного размера

В качестве доказательства принципа мы показываем, что полевой транзистор с несколькими затворами поддерживает SET за счет снижения напряжения BG, чтобы отрезать накопленный канал и сформировать туннельные барьеры. Кулоновские алмазы проявляются в спектроскопии смещения (рис. 2b), и из высоты и ширины кулоновского алмаза мы извлекаем типичную зарядную энергию E _C  = 8 мэВ и плечо рычага α  = 0,2 эВ/В. Хотя E _C , вероятно, недооценен по сравнению с малоэлектронными квантовыми точками, ожидается, что результаты будут коррелированы. Эти метрики полезны для характеристики и оптимизации пригодности материала для изготовления спиновых кубитов. Здесь мы сосредоточимся, в качестве примеров возможной рутинной характеристики, на статистических измерениях перекладины, которые могут быть включены в быстрый цикл изготовления-измерения.

Повторяя измерения включения и отсечки, как показано на рис. 2а, для всех полевых транзисторов поперечины, мы получаем цветные карты V _до и V _po , визуализированные на рис. 2c , d в соответствии с физическим расположением выбранной элементарной ячейки в поперечине. Перекладина достигла 100% выхода, что означает, что все 648 полевых транзисторов были включены и отсечены при Тл  = 1,7 К, из которых 610 имели отсечки, которые были достаточно резкими для дальнейшего анализа. Такое большое количество включений и отсечений полевых транзисторов позволяет провести статистический анализ, чтобы определить, как на эти напряжения влияют размеры затвора, и количественно оценить однородность материала и изготовления в различных масштабах длины. На рис. 2с мы видим четкий вертикальный градиент возрастающих напряжений включения в направлении нижней части сетки, вызванный геометрическими вариациями в конструкциях элементарных ячеек.

Примечательной особенностью графика отсечки на рис. 2d являются вертикальные линии одинаково низких напряжений отсечки, расположенные на нечетных BG (11, 23, 27), соответствующие правым барьерным затворам полевых транзисторов. Мы предполагаем, что этот эффект возникает из-за несовершенства изготовления барьеров. Кроме того, работа прибора также вносит свой вклад в асимметрию измерений. Поскольку отсечка правого барьера измеряется последней, на это измерение больше всего влияет любая нестабильность устройства, такая как гистерезис. Благодаря чередующейся омической конструкции устройство устойчиво к локальным ошибкам, таким как дефекты изготовления, разрывы затвора или короткие замыкания между слоями затвора, которые могут препятствовать формированию 2DEG. Вместо невозможности измерения больших квадратичных сечений поперечины последствия ограничиваются линейной потерей измеряемых элементарных ячеек вдоль строки или столбца, а остальные элементарные ячейки не затрагиваются. Кроме того, различные размеры полевых транзисторов мало влияют на напряжения отсечки, за исключением случаев, когда W  < 50 нм, расположены в нижних 7 рядах сетки. Поскольку позиционная дисперсия больше, чем тенденции, вызванные различиями в конструкции большинства элементарных ячеек, можно оценить единообразие масштаба устройства на шкале длины до 230 мкм.

Геометрия ворот и исследование однородности

Корреляцию между конструкцией устройства и поведением можно проанализировать на нашем устройстве, поскольку поперечина включает различия в геометрии ворот в каждой элементарной ячейке. Хотя расстояние между барьерами варьировалось, на рис. 2c, d не видно горизонтального градиента, что указывает на то, что этот параметр не оказывает существенного влияния на включение или выключение. Очевидно, что индивидуальные пороги в первую очередь определяются локальным затвором с низким напряжением, а не затвором с полным накоплением, расположенным поблизости. Следовательно, значения каждой строки можно усреднить, чтобы получить статистику о влиянии ширины накопительного затвора, как показано на рис. 3а. Увеличение напряжения включения при уменьшении ширины AG ожидается из-за эффекта узкого канала MOSFET ²⁵ .

a Напряжение включения и отсечки в зависимости от ширины накопительного затвора со стандартными отклонениями. Каждая точка является усреднением по ряду элементарных ячеек на рис. 2в с одинаковой шириной ЗГ W , но разным шагом ЗГ L . Вставка представляет собой увеличение напряжений отсечки, где соответствующее напряжение включения всегда ниже 3 В, с линейной аппроксимацией (черная линия). b Гистограмма плотности вероятности напряжений отсечки, измеренных по всей сети, где В _–  < 3 В, без тренда линейной геометрии затвора. Цветные линии соответствуют Гауссу для обоих распределений. c Гистограмма плотности вероятности разностей отсечки Δ V _po (синяя) между правым и левым барьерами в одном и том же полевом транзисторе и их аппроксимация по Гауссу (черная линия). d Значения отсечки обоих барьеров для каждого полевого транзистора, нанесенные друг на друга с удаленным трендом линейной геометрии затвора. Основные компоненты данных показаны красными стрелками, а диагональная черная линия служит ориентиром для глаз. Вклады беспорядка с масштабом длины меньшим, чем расстояние между барьерами, должны вызывать дисперсию равномерно в плоскости. Все вклады беспорядка в более крупном масштабе вызывают дисперсию преимущественно по оси (y = +x).

Изображение полного размера

Поведение напряжения отсечки можно разделить на две области. Во-первых, увеличение отсечки полевых транзисторов с Вт  < 50 нм совпадает с появлением значений включения более 3В. В этом случае процедура накопления надлежащего канала при 1В выше порога включения была невозможна из-за установленного предела выходного напряжения 4В. Таким образом, БГ частично выступает в качестве накопительных ворот для области вокруг пересекающихся ворот. Во-вторых, полевые транзисторы с W  > 50 нм имеют гораздо более слабую зависимость, как видно на вставке к рис. 3а. Большое количество измеренных полевых транзисторов позволяет получить надежную линейную аппроксимацию данных, несмотря на то, что постоянное поведение не исключается стандартным отклонением.

На рис. 3b мы визуализируем распределения отсечек по сетке в виде гистограмм плотности вероятности. В этом анализе мы рассматриваем только полевые транзисторы, которые включались с В _до  < 3В, и мы принимаем во внимание линейный тренд, связанный с шириной АГ, наблюдаемый на рис. 3а, путем вычитания линейной подгонки, которая включает 1,17 В средний, по данным. Распределение V _po , хорошо соответствуют распределениям Гаусса, характеризующимся стандартными отклонениями 47,5 мВ и 46,1 мВ для левого и правого барьеров соответственно. Поскольку полевые транзисторы внутри перекладины расположены равномерно на площади 200 × 100 мкм ² , стандартное отклонение является метрикой для количественной оценки однородности потенциала беспорядка в макроскопическом масштабе. Соответствующим эталоном для этой метрики является энергия зарядки квантовой точки, поскольку предложения по масштабированию основаны на определенных уровнях однородности состояния заряда. По сравнению с многоэлектронной заполненностью SET на рис. 2b, мы находим \(\frac{\alpha {\sigma}_{{V}_{{{{\rm{po}}}}}}}{{E }_{{{{\rm{C}}}}}}=1,17\) как среднее стандартное отклонение, нормированное на энергию зарядки. Рассматривая отсечной затвор, представляющий другие затворы в поперечине, в том числе затвор, контролирующий точечный потенциал, мы можем оценить дисперсию химических потенциалов в СЭТ с тем же приложенным напряжением. Вероятность того, что потенциал SET будет находиться в пределах 9{2}}}dx,$$

(1)

, что равно 33,1%.

Из-за симметрии барьеров в каждом полевом транзисторе однородность на наноуровне также может быть изучена в нашей перекладине. На рис. Стандартное отклонение составляет 32,7 мВ, что указывает на то, что корреляция на наноуровне, характеризующаяся барьерным разделением L масштаб длины в одном полевом транзисторе значительно больше, чем корреляция в микрометровом масштабе, характеризующаяся пространственным разделением различных полевых транзисторов. Предполагая, что обе отсечки в одном и том же полевом транзисторе взяты из одного и того же распределения, поскольку их окружение похоже, эквивалентное стандартное отклонение одиночной отсечки равно \(32,7{{{\rm{мВ}}}}/\sqrt{2 }=23,1\) мВ. Однако стандартное отклонение \(\frac{\alpha {\sigma}_{{V}_{{{{\rm{po}}}}}}}{{E}_{{ {{\ rm {C}}}}}} = 0,58 \) соответствует 61,3% SET с желаемым состоянием заряда, что статистически подтверждает, насколько важно улучшение материала и однородность изготовления для реализации масштабируемых кубитов с общими вентилями. Ожидается, что переход к передовой промышленной переработке приведет к повышению однородности ²⁶ , но не на порядки. Метрику можно дополнительно улучшить, усложнив заполнение доступных энергетических состояний квантовых точек, например, увеличив энергию зарядки за счет большего ограничения.

Мы получаем дополнительное представление о происхождении изменчивости и о шкале длин вкладов доминирующего беспорядка, нанося на рис. 3d отсечки каждого полевого транзистора друг против друга для всех измеряемых устройств. При анализе данных мы снова удаляем линейный тренд, связанный с накоплением ворот разной ширины, так что оставшаяся изменчивость преимущественно связана с однородностью. Применяем анализ главных компонент ²⁷ для количественной оценки зависящей от направления дисперсии нанесенных отсечений путем определения собственных векторов ковариационной матрицы, как показано красными стрелками на рис. 3d. С помощью закона суммы дисперсии мы находим, что вклад в диагональ от нарушений, вызывающих коррелированные отсечки внутри полевых транзисторов, в 2,6 раза больше, чем от нарушений, вызывающих некоррелированную дисперсию. Таким образом, вклады беспорядка со шкалой длин, превышающей расстояние между барьерами (30–130 нм), более значительны, чем вклады беспорядка со шкалой длин подбарьерного расстояния.

Глобальная ферма | Траверса телескопическая 1,3 — 2,1 м

Товар № CC50201

42,70 €

вкл. НДС, плюс транспортные расходы

• Подробности
• Данные

Детали

Регулируемая поперечина 1,30 м — 2,10 м по длине. Легко крепится на две вертикальные телескопические штанги.

Эта шторная система доступна в трех вариантах высоты (макс. 6,00 м) и трех различных длинах перекладин (макс. 3,60 м). Все компоненты можно свободно комбинировать.

Кроме того, с соответствующими аксессуарами можно дополнительно установить двойную поперечину для перекрытия более тяжелых штор или жалюзи. Кроме того, в системе могут использоваться две разные нижние пластины. Система благодаря специальным мешкам, сверхкомпактной упаковке и удобству транспортировки.

Эта система специально разработана для того, чтобы отделить большие площади друг от друга или скрыть сценические ситуации и неприятные задние стороны сцены элегантными или скрытыми шторами. Также входы и т.п. могут быть элегантно украшены, например, на гламурных гала-концертах, церемониях награждения или театральных представлениях.

Данные

Данные о доставке

Связанные продукты

Телескопическая штанга 0,9–1,5 м

Арт. №. CC50101

115,00 €

Базовая пластина 60×60 см, черная для F22-F34

Арт.№. CC50403

123,00 €

Соединитель для базовой панели черный

Арт.№. CC50401

24,30 €

Мягкая сумка для 8-кратной перекладины телескопа 1,9–3,0 м

Арт.№. CC50603

69,00 €

Держатель для перекладины телескопа

Арт.№. CC50302

13,80 €

Мягкая сумка для 4 телескопических штанг 0,9–1,5 м

Арт.№. CC50602

49,90 €

Мягкая сумка для 4 телескопических штанг 2,4–3,0 м

№ арт. CC50601

73,90 €

Переходник для двойного жалюзи

Арт.№. CC50301

34,10 €

Телескопическая поперечина 1,9–3,0 м

Арт.